开云手机版 -愛(ài)思开海力(lì)士申请包括阻(zǔ)變(biàn)层和热約(yuē)束电极层的半导体器件专利(lì)，該(gāi)专利(lì)技(jì)術(shù)能实现阻(zǔ)變(biàn)层沿(yán)着穿透(tòu)衬底上的电极结构的孔的侧壁表面而设置

国家(jiā)知识产权局信息(xī)显示，爱思開(kāi)海力士有(yǒu)限公司申请一(yī)项名为“包括阻(zǔ)變(biàn)層(céng)和热約(yuē)束電(diàn)極(jí)層(céng)的(de)半导躰(tǐ)器件”的(de)专利，公開(kāi)号CN121969023A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，根據(jù)一(yī)种实施例的(de)一(yī)种半导躰(tǐ)器件包括：衬底(dǐ)；電(diàn)極(jí)结构，該(gāi)電(diàn)極(jí)结构設(shè)置(zhì)在(zài)衬底(dǐ)之上(shàng)并且包括交替設(shè)置(zhì)的(de)層(céng)间绝缘層(céng)和水平電(diàn)極(jí)層(céng)；阻(zǔ)變(biàn)層(céng)，該(gāi)阻(zǔ)變(biàn)層(céng)沿着穿透(tòu)衬底(dǐ)上(shàng)的(de)電(diàn)極(jí)结构的(de)孔(kǒng)的(de)側(cè)壁(bì)表面而設(shè)置(zhì)；氧空(kōng)位(wèi)儲(chǔ)層(céng)，該(gāi)氧空(kōng)位(wèi)儲(chǔ)層(céng)在(zài)孔(kǒng)内設(shè)置(zhì)在(zài)阻(zǔ)變(biàn)層(céng)上(shàng)；第(dì)一(yī)热約(yuē)束電(diàn)極(jí)層(céng)，該(gāi)第(dì)一(yī)热約(yuē)束電(diàn)極(jí)層(céng)在(zài)孔(kǒng)内設(shè)置(zhì)在(zài)氧空(kōng)位(wèi)儲(chǔ)層(céng)上(shàng)；以及(jí)垂直(zhí)電(diàn)極(jí)層(céng)，該(gāi)垂直(zhí)電(diàn)極(jí)層(céng)在(zài)孔(kǒng)内設(shè)置(zhì)在(zài)第(dì)一(yī)热約(yuē)束電(diàn)極(jí)層(céng)上(shàng)。

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来源：市场资讯